[发明专利]半导体装置组合件的薄裸片释放在审
申请号: | 202011456023.5 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN112992782A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | A·M·贝利斯;B·P·沃兹 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及半导体装置组合件的薄裸片释放。揭示用于从安装胶带释放经减薄半导体裸片的方法及相关联设备。在一个实施例中,牺牲层可经安置于包含半导体裸片的经减薄衬底的背侧处。所述牺牲层包含可与流体(及/或蒸气)接触而溶解的材料。一片多孔安装胶带可经附接到所述牺牲层,且弹出组件可经提供于待释放的目标半导体裸片之下。所述弹出组件经配置以在所述目标半导体裸片之下产生所述流体的局部局限水坑,使得所述牺牲层经移除以从所述安装胶带释放所述目标半导体裸片。此外,支撑组件可经提供以在从所述安装胶带释放所述目标半导体裸片之后拾取所述目标半导体裸片。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 组合 薄裸片 释放 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011456023.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造