[发明专利]MIM电容及其形成方法在审
| 申请号： | 202011424986.7 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114613754A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张拥华;李朝勇;贺忻;李明;王保 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MIM电容及其形成方法，通过在电容上下极板与具有高介电常数的电容介质层之间设置至少一层介质缓冲层，作为高介电常数介质层与上下极板之间的缓冲过渡层，能提供良好的接触界面，降低高介电常数介质层材料带来的高应力以及高应力导致的层间分层缺陷，提高电容击穿电压，从而提高整个电容结构的可靠性，同时维持较高的电容密度，满足高性能芯片的需求。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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