[发明专利]具有内连接结构的半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011387337.4 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112992853A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有内连接结构的半导体元件及其制备方法，该半导体元件包括一导电图案以及一内连接结构，该导电图案设置在一半导体基底上，该内连接结构设置在该导电图案上。该半导体元件亦包括一内连接衬垫，形成在该内连接结构与该导电图案之间，并围绕该内连接结构设置。该内连接衬垫的多个内侧壁表面直接接触该内连接结构，且在该内连接衬垫的各外侧壁表面之间的一最大距离大于该导电图案的一宽度。该半导体元件还包括一半导体晶粒，接合到该半导体基底。该半导体晶粒具有一导电垫，面对该内连接结构设置，其中该导电垫电性连接到该导电图案。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连接 结构 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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