[发明专利]半导体装置及其制作方法在审
申请号: | 202011384166.X | 申请日: | 2020-12-01 |
公开(公告)号: | CN114582970A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 杨柏宇 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/417;H01L21/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体装置及其制作方法,其中该半导体装置包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、栅极电极、第一电极、及介电层。半导体通道层被设置于基底之上,半导体阻障层被设置于半导体通道层之上。栅极电极被设置于半导体阻障层之上。第一电极被设置于栅极电极的一侧,其中第一电极包括主体部及垂直延伸部,主体部电连接于半导体阻障层,且垂直延伸部的底面低于半导体通道层的顶面。介电层被设置于垂直延伸部及半导体通道层之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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