[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基底；

半导体通道层，设置于该基底之上；

半导体阻障层，设置于该半导体通道层之上；

栅极电极，设置于该半导体阻障层之上；

第一电极，设置于该栅极电极的一侧，其中该第一电极包括主体部及垂直延伸部，该主体部电连接于该半导体阻障层，且该垂直延伸部的底面低于该半导体通道层的顶面；以及

介电层，设置于该垂直延伸部及该半导体通道层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该主体部电连接至该垂直延伸部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该主体部直接接触该半导体阻障层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该介电层覆盖该垂直延伸部的侧面和底面。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该介电层直接接触该半导体通道层及该垂直延伸部。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该介电层的厚度小于该垂直延伸部的垂直长度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，另包括半导体缓冲层，设置于该半导体通道层和该基底之间，其中该垂直延伸部的底面低于该半导体缓冲层的顶面。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一电极另包括朝向该栅极电极延伸的水平延伸部。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中该主体部电连接至该水平延伸部。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，另包括另一介电层，设置于该半导体阻障层及该水平延伸部之间。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中该另一介电层的组成相同于该介电层的组成。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，另包括第二电极，设置于该栅极电极的另一侧，其中该第二电极包括一主体部及垂直延伸部，该第二电极的该主体部电连接于该半导体阻障层，且该第二电极的该垂直延伸部的底面低于该半导体通道层的顶面。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中该第一电极顺向性的覆盖住该另一介电层、该半导体阻障层及该介电层。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中该第一电极为源极电极或漏极电极。

15.一种半导体装置的制作方法，包括：

提供基底；

形成半导体通道层于该基底之上；

形成半导体阻障层于该半导体通道层之上；

施行蚀刻制作工艺，以暴露出部分的该半导体通道层；

形成介电层，以覆盖住该半导体阻障层及暴露出的该半导体通道层；以及

在形成该介电层之后，形成第一电极，其中该第一电极包括主体部及垂直延伸部，该主体部电连接于该半导体阻障层，且该垂直延伸部的底面低于该半导体通道层的顶面。

16.根据权利要求15所述的半导体装置的制作方法，其中该第一电极另包括水平延伸部，覆盖部分该半导体阻障层及部分该介电层。

17.根据权利要求15所述的半导体装置的制作方法，其中该介电层顺向性地覆盖住该半导体阻障层及暴露出的该半导体通道层。