[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011374904.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN113161232A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 小岛贵仁;大瀬直之 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/04;H01L21/329;H01L29/45;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供碳化硅半导体装置的制造方法，该碳化硅半导体装置是混合有肖特基结和pn结的JBS结构的碳化硅二极管，该碳化硅半导体装置的制造方法能够维持SBD结构的低的正向电压，且提高浪涌电流耐量。通过低温度和高温度这2次的热处理使金属材料膜(52)和半导体基板(30)反应，在氧化膜(51)自对准地形成镍硅化物膜(33)，该金属材料膜(52)依次层叠有与在氧化膜(51)的开口部(51a、51b)分别露出的p型区(13)和FLR(21)的整个连接区域(20a)部分接触的第一镍膜(58)、铝膜(53)和第二镍膜(54)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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