[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202011324586.9 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114530493A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 龙强 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的栅极结构，所述栅极结构包括依次层叠设置的第一导电层、阻挡层和第二导电层；其中，所述第一导电层包括第一多晶硅层、第一金属层和第二多晶硅层，且所述第一多晶硅层靠近所述基底，所述第二多晶硅层紧贴所述阻挡层；所述第一金属层位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间。本发明实施例的栅极结构具有竖直的形貌及较强的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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