[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的栅极结构，所述栅极结构包括依次层叠设置的第一导电层、阻挡层和第二导电层；

其中，所述第一导电层包括第一多晶硅层、第一金属层和第二多晶硅层，且所述第一多晶硅层靠近所述基底，所述第二多晶硅层紧贴所述阻挡层；所述第一金属层位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的厚度相同。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构与所述基底之间的栅极介质层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度为0.5nm～1.5nm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层的材料包括氮化钛或氮化钽。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构上的绝缘覆盖层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层掺杂有P型离子或N型离子。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多晶硅层中掺杂的离子浓度和所述第二多晶硅层中掺杂的离子浓度不同。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层还包括层叠设置的第三多晶硅层及第二金属层，所述第三多晶硅层靠近所述基底，所述第二金属层位于所述第三多晶硅层及所述第一多晶硅层之间。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料和厚度相同。

11.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上依次形成初始第一导电层、初始阻挡层和初始第二导电层，所述初始第一导电层、所述初始阻挡层和所述初始第二导电层构成初始栅极结构；所述初始第一导电层包括初始第一多晶硅层、初始第一金属层和初始第二多晶硅层，且所述初始第一多晶硅层靠近所述基底，所述初始第二多晶硅层紧贴所述初始阻挡层；所述初始第一金属层位于所述初始第一多晶硅层与所述初始第二多晶硅层之间；

在所述初始栅极结构上形成图形化的掩膜层；

以所述图形化的掩膜层作为掩膜版刻蚀所述初始第一导电层、所述初始阻挡层和所述初始第二导电层，形成第一导电层、阻挡层和第二导电层；所述第一导电层、所述阻挡层和所述第二导电层构成栅极结构；所述第一导电层包括第一多晶硅层、第二多晶硅层及第一金属层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，以原子层沉积工艺形成所述第一金属层。

13.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述初始第二多晶硅层的步骤中，所述初始第二多晶硅层与所述初始第一金属层的刻蚀选择比大于100：1；在刻蚀所述初始第一金属层的步骤中，所述初始第一金属层与所述初始第一多晶硅层的刻蚀选择比大于10：1。

14.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述初始栅极结构前，还包括以下步骤：在所述基底上形成初始栅极介质层，所述初始栅极结构位于所述初始栅极介质层上；形成所述初始栅极结构后，还包括以下步骤：形成覆盖所述初始栅极结构的初始绝缘覆盖层。

15.根据权利要求14所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述图形化的掩膜层后，还包括以下步骤：以所述图形化的掩膜层作为掩膜版刻蚀所述初始绝缘覆盖层及所述初始栅极介质层，形成绝缘覆盖层及栅极介质层。