[发明专利]一种高功率半导体产品晶圆级封装工艺及半导体产品在审
| 申请号： | 202011299293.X | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112509998A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 黄源炜 | 申请（专利权）人： | 杰群电子科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙) 11884 | 代理人： | 唐明磊 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高功率半导体产品晶圆级封装工艺，提供GaN晶圆，并在所述GaN晶圆的背面设置用于吸收GaN芯片工作时散发出的热量的散热层；所述GaN晶圆包括硅基材、生长于所述硅基材的第一表面的GaN外延层以及蒸镀于所述硅基材与所述第一表面相对的第二表面的焊接过渡金属层，所述散热层焊接在所述焊接过渡金属层上。本方案中通过在硅基材背面设置散热层，通过散热层将GaN芯片工作时产生的热量快速吸收，并通过散热层将热量扩散到外部，使得GaN芯片能够适应高功率市场的应用。散热层采用焊接的方式设置在GaN晶圆的背面产品生产效率高，散热层的厚度可以根据GaN芯片散热需求进行选择，而不受限于安装工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 产品 晶圆级 封装 工艺 | ||
【主权项】：
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