[发明专利]一种高功率半导体产品晶圆级封装工艺及半导体产品

权利要求书

1.一种高功率半导体产品晶圆级封装工艺，其特征在于，提供GaN晶圆，并在所述GaN晶圆的背面设置用于吸收GaN芯片工作时散发出的热量的散热层；

所述GaN晶圆包括硅基材、生长于所述硅基材的第一表面的GaN外延层以及蒸镀于所述硅基材与所述第一表面相对的第二表面的焊接过渡金属层，所述散热层焊接在所述焊接过渡金属层上。

2.根据权利要求1所述的高功率半导体产品晶圆级封装工艺，其特征在于，

具体包括以下步骤：

步骤1、提供GaN晶圆；

步骤2、焊接散热层，在所述GaN晶圆的背面设置锡膏、放置散热层材料，通过回流焊工艺将所述散热层材料焊接到所述GaN晶圆背面；

步骤3、电极印刷，在所述GaN晶圆的正面对应与源极、栅极以及漏极进行锡膏印刷并过回流焊；

步骤4、切割，将上述步骤加工完成的GaN晶圆切割形成单颗GaN芯片产品。

3.根据权利要求2所述的高功率半导体产品晶圆级封装工艺，其特征在于，所述散热层上对应于所述GaN晶圆的切割位置设置有切割槽。

4.根据权利要求3所述的高功率半导体产品晶圆级封装工艺，其特征在于，所述散热层为铜、陶瓷、铝或不锈钢。

5.根据权利要求4所述的高功率半导体产品晶圆级封装工艺，其特征在于，所述GaN晶圆具有能够通过切割形成GaN芯片产品的产品区以及位于所述产品区周边的非产品区。

6.根据权利要求5所述的高功率半导体产品晶圆级封装工艺，其特征在于，所述散热层对应与所述产品区设置，至少覆盖全部所述产品区。

7.根据权利要求5所述的高功率半导体产品晶圆级封装工艺，其特征在于，所述散热层的形状及大小与所述GaN晶圆相同。

8.根据权利要求3所述的高功率半导体产品晶圆级封装工艺，其特征在于，所述切割槽为将所述散热层焊接到所述GaN晶圆上之后切削加工而成。

9.一种高功率半导体产品，其特征在于，包括GaN芯片，所述GaN芯片的背面依次设置有过渡金属层以及散热层。

10.一种高功率半导体产品，其特征在于，采用权利要求1-8中任一项所述的高功率半导体产品晶圆级封装工艺加工而成。