[发明专利]一种半导体制造方法及工艺室

摘要

本发明的一种半导体的制造方法及工艺室，在蚀刻工艺中控制室内反应压力至第一压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度降低至第一温度范围以改善反应性和选择比，减少附产物的产出，在清洗工艺中控制室内反应压力从所述第一压力降低至第二压力范围，并同步控制所述晶圆表面温度从所述第一温度范围加温至第二温度范围来加快附产物的去除速度。通过重复执行所述蚀刻工艺和所述清洗工艺，直至达到蚀刻目标量。可见本发明的方法从改善反应性和选择比和加快附产物的去除速度两方面对附产物进行针对性处理，故而能够有效的去除清洗工艺中产生的附产物，能够提高清洗生产效率。