[发明专利]一种半导体冷却加热复合装置及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 202011253705.6 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112420561A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;占卫君;廖培君;罗明浩 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B23K1/00;B23K20/02;B23K20/14;B23K28/02;B23P15/00;C22C5/06;C22C5/08 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体冷却加热复合装置及其制备方法和用途，所述半导体冷却加热复合装置通过在底板内部设置槽孔，使槽孔与盖板以及第一凹槽均不相接，实现了槽孔中加热与第一凹槽中冷却的隔离，大大提高了冷却效率；并且所述半导体冷却加热复合装置的制备方法通过将盖板与第一底板进行真空扩散焊接，确保焊接后无漏气现象，再采用真空钎焊对第二底板进行焊接，能够确保加热丝的固定，减少加热丝烧断的情况，在半导体领域应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 冷却 加热 复合 装置 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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