[发明专利]一种半导体冷却加热复合装置及其制备方法和用途在审
申请号: | 202011253705.6 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112420561A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;占卫君;廖培君;罗明浩 | 申请(专利权)人: | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B23K1/00;B23K20/02;B23K20/14;B23K28/02;B23P15/00;C22C5/06;C22C5/08 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 冷却 加热 复合 装置 及其 制备 方法 用途 | ||
本发明提供一种半导体冷却加热复合装置及其制备方法和用途,所述半导体冷却加热复合装置通过在底板内部设置槽孔,使槽孔与盖板以及第一凹槽均不相接,实现了槽孔中加热与第一凹槽中冷却的隔离,大大提高了冷却效率;并且所述半导体冷却加热复合装置的制备方法通过将盖板与第一底板进行真空扩散焊接,确保焊接后无漏气现象,再采用真空钎焊对第二底板进行焊接,能够确保加热丝的固定,减少加热丝烧断的情况,在半导体领域应用前景广阔。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及半导体晶圆技术领域,特别涉及一种半导体冷却加热复合装置及其制备方法和用途。
背景技术
在半导体晶圆加热中,需要采用一种带有加热丝装置,并且可以实时冷却加热丝的冷却盘体,目前制作冷却盘体的普遍采用氩弧焊或者真空钎焊的方式进行焊接,产品上加热通道和冷却通道相通,影响冷却效果。
CN105374766A公开了半导体晶圆的冷却方法以及半导体晶圆的冷却装置,将处于加热状态的半导体晶圆载置于被加热了的保持台。一边以使半导体晶圆向保持台的上方远离的方式保持该半导体晶圆一边进行冷却。在该冷却过程中,一边利用来自保持台的辐射热对被冷却的半导体晶圆的温度、使半导体晶圆的温度降低的速度以及冷却时间进行调整,一边将半导体晶圆冷却。但该装置并未涉及到装置强度的改进。
CN109817544A公开了半导体设备加热冷却复合盘装置,包括热盘加热区、复合盘框架、冷却盘、冷却区升降机构、冷却盘传送机构、热盘区升降机构及冷却盘区域,其中热盘加热区和冷却盘区域设置于复合盘框架内,热盘区升降机构设置于热盘加热区内,冷却区升降机构和冷却盘传送机构均设置于冷却盘区域内,冷却盘设置于冷却盘传送机构上,冷却盘传送机构用于将冷却盘在冷却盘区域与热盘加热区之间传送,冷却区升降机构用于接取晶圆。但加热区域冷却区之间需要进行传送,无法起到较好的加热冷却效果。
CN109355710A公开了真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统及方法,真空腔中半导体晶圆的可控快速冷却系统可以在不影响真空腔室正常工作的前提下对真空腔室内待冷却的结构进行快速冷却;且可以根据需要灵活调节冷却速率,但并未意识到与真空腔相连的开口中进行冷却,冷热温差大,且冷却效果较差。
现有的加热器一般只有上下二层结构,通过氩弧焊方式进行焊接,一方面氩弧焊接的焊接面容易漏气,另一方面;产品上加热通道和冷却通道相通,影响冷却效果。而且加热丝与加热底板固定不牢靠,加热过程中加热丝很容易松动,导致加热丝烧断,产品报废。
因此,需要开发一种新的半导体设备冷却加热复合的装置,克服冷却效果差等问题。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题,本发明提供一种半导体冷却加热复合装置及其制备方法和用途,所述半导体冷却加热复合装置实现了槽孔中加热与第一凹槽中冷却的隔离,大大提高了冷却效率;并且所述半导体冷却加热复合装置的制备方法能够确保冷却过程中无漏气现象,实现了加热部件的固定,减少加热丝烧断的情况,在半导体领域应用前景广阔。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提供一种半导体冷却加热复合装置,所述半导体冷却加热复合装置包括依次设置的盖板和底板;所述盖板内设置有向底板开口的至少一个第一凹槽;所述底板内部设置有至少1个槽孔,所述槽孔与盖板不相接,所述槽孔与所述第一凹槽不相接。
本发明提供的半导体冷却加热复合装置通过设置与盖板和第一凹槽均不相接的槽孔用于设置加热部件,加热部件从而与用于冷却的第一凹槽不接触,提高了冷却效果,而且加热部件处于槽孔中,加强了加热部件的固定效果,减少了加热部件烧坏的情况。
优选地,所述槽孔为圆形槽孔。
本发明所述槽孔优选为圆形槽孔,便于加热部件的设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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