[发明专利]一种半导体冷却加热复合装置及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种半导体冷却加热复合装置，其特征在于，所述半导体冷却加热复合装置包括依次设置的盖板和底板；

所述盖板内设置有向底板开口的至少一个第一凹槽；

所述底板内部设置有至少1个槽孔，所述槽孔与所述盖板不相接，所述槽孔与所述第一凹槽不相接；

所述槽孔内设置有加热部件。

2.根据权利要求1所述的半导体冷却加热复合装置，其特征在于，所述槽孔为圆形槽孔；

优选地，所述圆形槽孔的半径为2～2.05mm；

优选地，所述盖板的平面度≤0.05mm；

优选地，所述加热部件为加热丝；

优选地，所述加热丝的半径为2～2.05mm；

优选地，所述圆形槽孔的半径与所述加热丝的半径相同。

3.根据权利要求1或2所述的半导体冷却加热复合装置，其特征在于，所述底板自盖板依次包括第一底板和第二底板；

优选地，所述第一底板的平面度≤0.05mm；

优选地，所述第二底板的平面度≤0.05mm；

优选地，所述第一底板上设置有朝第二底板开口的至少一个第二凹槽；所述第二底板上设置有朝第一底板开口的至少一个第三凹槽；所述第二凹槽与所述第三凹槽组成所述槽孔；

优选地，所述第二凹槽为第二弧形凹槽，优选为第二半圆槽；

优选地，所述第三凹槽为第三弧形凹槽，优选为第三半圆槽。

4.一种半导体冷却加热复合装置的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)设置有至少一个第一凹槽的盖板与第一底板装配，所述第一凹槽开口朝向所述第一底板，进行第一焊接，得到第一装配组件；

(2)在所述第一装配组件的第一底板上加工开口背离所述盖板的至少一个第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一凹槽不相接，所述第二凹槽与所述盖板不相接，得到加工后的第一装配组件；

(3)步骤(2)加工后的第一装配组件与设置有至少一个第三凹槽的第二底板装配，并在所述第二凹槽或第三凹槽内设置加热部件，所述第二凹槽与所述第三凹槽组成槽孔后，进行第二焊接，得到半导体冷却加热复合装置。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述第一焊接为真空扩散焊接；

优选地，所述真空扩散焊接的温度为980～1000℃；

优选地，所述真空扩散焊接的压力为15～20MPa；

优选地，所述真空扩散焊接的时间为70～90min；

优选地，所述真空扩散焊接的相对真空度≤3.0×10^-3MPa。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述第二焊接为真空钎焊；

优选地，所述真空钎焊的焊片包括AgCuInTi片；

优选地，所述焊片的厚度为0.05～0.1mm；

优选地，所述AgCuInTi片中包括Ag：60～69.5wt％，Cu：13.5～23wt％；In：14～14.5wt％；Ti：3～3.2wt％。

7.根据权利要求4～6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述真空钎焊包括：升温至700～800℃，保温，进行真空钎焊；

优选地，所述升温的速率为5.6～6.7℃/min；

优选地，所述保温的时间为30～35min。

8.根据权利要求4～7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述真空钎焊的相对真空度≥1×10^-3MPa；

优选地，所述真空钎焊的压块质量为100～150kg。