[发明专利]一种低介微波介质陶瓷材料及其温频特性调控方法在审

专利信息
申请号: 202011175349.0 申请日: 2020-10-28
公开(公告)号: CN112299837A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 雷文;杜康;吕文中;王晓川;汪小红;范桂芬;付明 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C04B35/457 分类号: C04B35/457;C04B35/622
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于微波介质陶瓷技术领域,公开了一种低介微波介质陶瓷材料及其温频特性调控方法,其中低介微波介质陶瓷材料,其主晶相的化学通式为CaO‑SnO2‑xSiO2‑yGeO2,其中,0≤x≤1.0,0≤y≤1.0,且主晶相为马来石相,该微波介质陶瓷材料为低介微波介质陶瓷材料,相对介电常数εr=10.37~11.7。本发明通过调控Ca:Sn:Si:Ge的摩尔比1:1:x:y,相应得到的微波介质陶瓷材料,能够在避免Ti元素使用的情况下,获得相对介电常数低至10.37~11.7且谐振频率温度系数τf可自调节的低介微波介质陶瓷材料,有效拓宽了低介电常数微波介质陶瓷材料的选择范围。并且,通过调控SiO2、GeO2的比例,利用离子取代,能够调控微波介质陶瓷材料的谐振频率温度系数τf
搜索关键词: 一种 微波 介质 陶瓷材料 及其 特性 调控 方法
【主权项】:
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  • 唐智勇 - 株洲火炬安泰新材料有限公司
  • 2021-03-05 - 2022-09-09 - C04B35/457
  • 本发明公开了一种高密度ITO靶材的常压烧结方法,属于ITO靶材加工技术领域,该常压烧结方法包括以下步骤:S1、ITO平面素坯的放置:将ITO平面素坯置于烧结炉内的支撑装置上,以使支撑装置放置面上放置有多个ITO平面素坯,相邻ITO平面素坯通过放置面上的限位柱隔开;S2、ITO靶材的烧结:在常压氧气氛条件下,通过烧结炉对支撑装置上的ITO平面素坯进行烧结,ITO平面素坯采用分段式烧结。本发明解决了传统ITO靶材常压烧结工艺制造得到的ITO靶材密度较低的问题。
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