[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底内；层间介质层，位于栅极结构露出的基底上，层间介质层覆盖源漏掺杂层；接触孔，贯穿栅极结构两侧的层间介质层，接触孔底部露出源漏掺杂层；底部源漏插塞，位于接触孔中且电连接源漏掺杂层；侧壁层，位于底部源漏插塞的侧壁和接触孔的侧壁之间，侧壁层的顶部低于底部源漏插塞的顶部，层间介质层、侧壁层和底部源漏插塞围成开口；密封层，覆盖底部源漏插塞的顶部、开口露出的底部源漏插塞的侧壁、以及开口的顶部。酸性等溶液不易渗透进密封层影响底部源漏插塞，降低在底部源漏插塞中形成孔隙的概率，从而提高半导体的结构性能。