[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

栅极结构，位于所述基底上；

源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的基底内；

层间介质层，位于所述栅极结构露出的基底上，所述层间介质层覆盖所述源漏掺杂层；

接触孔，贯穿所述栅极结构两侧的所述层间介质层，所述接触孔底部露出所述源漏掺杂层；

底部源漏插塞，位于所述接触孔中且电连接所述源漏掺杂层；

侧壁层，位于所述底部源漏插塞的侧壁和所述接触孔的侧壁之间，所述侧壁层的顶部低于所述底部源漏插塞的顶部，所述层间介质层、侧壁层和底部源漏插塞围成开口；

密封层，覆盖所述底部源漏插塞的顶部、所述开口露出的所述底部源漏插塞的侧壁、以及所述开口的顶部。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述底部源漏插塞的顶部低于所述接触孔的顶部；

所述密封层的顶部低于所述接触孔的顶部。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述密封层填充于所述开口中。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：阻挡粘附层，位于所述侧壁层和底部源漏插塞之间，且覆盖所述底部源漏插塞的侧壁。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡粘附层的顶部低于所述底部源漏插塞的顶部，所述开口由所述层间介质层、侧壁层、阻挡粘附层和底部源漏插塞围成。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述侧壁层为阻挡粘附层。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述底部源漏插塞顶部的密封层的厚度为1.5纳米至4纳米。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于所述接触孔侧壁的方向，所述侧壁层的厚度为2纳米至4纳米。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述侧壁层的材料包括无定形硅或氮化硅。

10.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述底部源漏插塞顶部的顶部源漏插塞，所述顶部源漏插塞贯穿所述密封层且与所述底部源漏插塞的顶部相连。

11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层，所述栅极结构露出的基底上形成有层间介质层，所述层间介质层覆盖所述源漏掺杂层；

刻蚀所述栅极结构两侧的所述层间介质层，在所述层间介质层中形成露出所述源漏掺杂层的接触孔；

在所述接触孔的侧壁形成侧壁层；

形成所述侧壁层后，在所述接触孔内形成底部源漏插塞；

刻蚀所述侧壁层，形成由所述层间介质层、侧壁层和底部源漏插塞围成的开口；

在所述开口的底部、所述底部源漏插塞的顶部、以及所述开口露出的所述底部源漏插塞的侧壁形成密封层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧壁层的步骤包括：在所述层间介质层的顶部、以及所述接触孔的侧壁和底部形成衬垫材料层；

去除位于所述层间介质层顶部、以及位于所述接触孔底部的所述衬垫材料层，保留所述接触孔侧壁剩余的所述衬垫材料层作为侧壁层。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述开口之前，还包括：回刻蚀所述底部源漏插塞和侧壁层，使剩余的所述底部源漏插塞和侧壁层的顶部低于所述接触孔的顶部；

形成所述密封层的步骤中，所述密封层的顶部低于所述接触孔的顶部。