[发明专利]一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法

摘要

本发明公开了一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法，属于二维材料制备技术领域。包括以下步骤：S1、构建单层过渡金属硫化物生长所需基底；S2、将过渡金属氧化物和硫置于S1提供的基底上，并采用分子动力学模拟化学气相沉积法，对置于基底上的过渡金属氧化物和硫在一定温度下进行成核生成单层过渡金属硫化物，即得单层过渡金属硫化物。本发明基于第一性原理及分子动力学方法，系统探究过渡金属氧化物(如MoO3)和S在基底上的沉积及MoS2的完整成核过程，为单层过渡金属硫化物(如MoS2)的可控生长提供理论依据。