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[实用新型]一种接驳台冷却系统-CN202320058965.0有效
发明人：王博;魏朋飞;刘强;张波 -专利权人：一道新能源科技股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种接驳台冷却系统，包括：接驳台，所述接驳台用于装载待冷却的石墨舟；冷却装置，用于输出冷却介质；冷却管路，所述冷却管路的入口连通所述冷却装置的冷却介质输出口，所述冷却管路用于限制所述冷却介质在所述接驳台所在的空间范围内流动，以对所述石墨舟进行冷却。通过本实用新型提供的接驳台冷却系统，具有解决镀膜后超温待舟，在不影响产品良率的基础下，有效地实现电池片产能最大化的优点。
一种接驳冷却系统

[发明专利]高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法-CN202211550172.7在审
发明人：胡晓君;郑玉浩;唐彬杰;陈成克;蒋梅燕;李晓;鲁少华 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明公开一种高电导率高迁移率n型金刚石薄膜及其制备方法。该方法将化学气相沉积过程中进入薄膜的钽原子掺杂于纳米级界面处。该掺杂方法不同于传统的晶格替代掺杂，很好地解决了金刚石中n型掺杂的难题，也为解决其他宽带隙材料的掺杂难题提供了新途径。
电导率迁移率金刚石薄膜及其制备方法

[实用新型]一种CIGS薄膜的制备装置-CN202320649297.9有效
发明人：徐东 -专利权人：深圳市亚太兴实业有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜制备技术领域，且公开了一种CIGS薄膜的制备装置，包括：U型固定块，且底部开设有凹孔；固定收卷装置，设置在所述U型固定块的顶部；夯平机构，设置在所述固定收卷装置的顶部；固定收卷装置，包括：加热夹板，有两个，分别固定连接在所述U型固定块的顶部，且与所述U型固定块的内侧固定连接；制备装置本体，固定连接在所述U型固定块的顶部，且与所述加热夹板固定连接。该一种CIGS薄膜的制备装置，通过固定收卷装置中加热夹板可以对制备装置本体内进行热量保持，输送辊的设置可以在薄膜制备好之后进行输送收集，连接套环可以通过拉绳连接活动块从而控制其移动，避免手部直接操作。
一种 cigs 薄膜制备装置

[发明专利]原位陶瓷涂层沉积的方法-CN202180063009.5在审
发明人： S·M·博贝克;A·A·哈贾;R·林杜尔派布恩;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种用于原位陈化处理腔室部件(诸如电极)的方法。所述方法包括在所述处理腔室部件上方沉积硅氧化物膜并将所述硅氧化物膜转化为含硅碳膜。所述含硅碳膜在所述处理腔室部件上方形成保护膜并耐受等离子体处理和/或干法蚀刻清洁。所述涂层具有高密度、良好的发射率控制并降低器件性质漂移的风险。
原位陶瓷涂层沉积方法

[发明专利]金刚石膜刻蚀方法、图形化金刚石膜及其应用-CN202010374585.9有效
发明人：杨国永;江南;马洪兵;王博;褚伍波 -专利权人：宁波材料所杭州湾研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种金刚石膜刻蚀方法、图形化金刚石膜及其应用，所述方法包括：将基片置于腔体内，所述基片包括硅片和金刚石膜，所述硅片的一面设有由沟槽形成的图形，所述金刚石膜覆盖在所述硅片的沟槽所在的表面上且填充满所述沟槽；在所述腔体内形成等离子体对所述基片进行刻蚀，得到图形化金刚石膜，其中，所述刻蚀的具体条件包括：H2和O2作为气源，且O2的流量为H2流量的1～6％；微波作为能量源，且微波功率为3～8KW；刻蚀温度为600～700℃。该方法无需设置掩体，刻蚀完成后直接形成图形化金刚石膜，无需再去除掩体，操作简单、效率高。
金刚石刻蚀方法图形及其应用

[发明专利]通过化学沉积薄层使聚合物基的基材功能化的方法-CN202180059276.5在审
发明人：埃尔万·吉奎尔;弗雷德里克·梅西尔;阿法艾尔·布瓦绍;伊丽莎白·布兰凯;伊芙琳·梅雷特;罗马·勒布;尤利安·布拉斯 -专利权人：格勒诺布尔理工学院;国家科学研究中心;格勒诺布尔-阿尔卑斯大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明涉及从气体前体通过化学沉积至少一个薄层(3)使纤维素基的基材(2)功能化的方法。该方法包括提供包括具有表面粗糙度大于或等于0.1μm的第一面(200a)和第二面(200b)的至少一个片材(200)的基材。该第一面(200a)具有与属于第一面(200a)或第二面(200b)的另一部分(200c)叠置的部分(200c)。至少局部地保留所述部分(200c)之间的间隔(201)，以使气体前体能够扩散。然后，该方法包括在所提供的所述基材(2)上通过气体前体的扩散进行至少一个薄层(3)的气相化学沉积，所述气体前体至少在每个间隔(201)中扩散。
通过化学沉积薄层聚合物基材功能方法

[发明专利]一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法-CN202010216388.4有效
发明人：刘忠范;彭海琳;李广亮;张金灿;刘晓婷;薛睿文;陈恒 -专利权人：北京石墨烯研究院;北京大学
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。
一种提高石墨薄膜洁净方法

[发明专利]一种原子点缺陷的制备方法和具有原子点缺陷的结构-CN202211397554.0在审
发明人：李倩;康健彬;姚尧;苏娟 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种本申请所提供的原子点缺陷的制备方法，包括：准备衬底；在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷。本申请中在制备原子点缺陷时，通过在准备好的衬底上生长非晶体结构的薄膜，由于薄膜是非晶体结构的，不需要考虑薄膜的晶体生长质量，非晶体结构的薄膜中不存在原子点缺陷，通过对非晶体结构的薄膜进行退火，激活非晶体结构的薄膜中的原子点缺陷，以及在非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷，从而得到原子点缺陷，本申请的制备方法工艺简单，制备难度低。本申请还提供一种具有原子点缺陷的结构。
一种原子点缺陷制备方法具有结构

[实用新型]一种磊晶生长设备-CN202221338267.8有效
发明人：丁肇诚;吕理宏;王怀義;范一龙 -专利权人：宝虹科技股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：一种磊晶生长设备，包括一腔体、一气体喷头以及一承载盘。该气体喷头设置于该腔体内的一顶部，该气体喷头包括一环形喷气部、一位于该环形喷气部内的中央喷气部以及一位于该环形喷气部以及该中央喷气部之间的环形抽气部。该承载盘设置于该腔体内且位于该气体喷头之下，该承载盘被配置为承载一待生长磊晶的基板。
一种生长设备

[发明专利]一种钽涂层的表面活化方法-CN202210263417.1在审
发明人：罗圆;蔡宏中;苑振涛;胡昌义;王枭;魏燕;王献;汪星强;张诩翔;张贵学 -专利权人：昆明贵金属研究所
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种钽涂层的表面活化方法，属于表面活化技术领域。采用氩气等离子对钽涂层进行等离子体活化处理后浸泡在水中。本发明提出一种等离子体表面活化法处理钽涂层的方法，利用氩离子轰击钽涂层表面，清除钽涂层表面杂质，提高钽涂层表面活性，且不引入杂质元素及化学反应，经等离子体活化处理后的钽涂层空位缺陷增加，可促进Ta2O5氧化膜生成，提高涂层的耐蚀性能，适用于提高化工领域小型部件表面钽涂层的耐蚀性能；且等离子体活化处理效率高，可控性强；同时在水中浸泡能够增加氧化膜的耐污性能，进一步提高耐蚀性能。
一种涂层表面活化方法

[发明专利]基于激光辐照的DLC-纳米金刚石复合涂层制备方法-CN202011372926.5有效
发明人：崔雨潇;郭平;马家豪;戚厚军 -专利权人：天津职业技术师范大学（中国职业培训指导教师进修中心）
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：一种基于激光辐照的DLC‑纳米金刚石复合涂层制备方法，包括：对纳米金刚石涂层表面进行预处理；将飞秒激光光束聚焦在预处理后的纳米金刚石涂层表面晶粒顶端，进行飞秒激光刻蚀扫描处理，将纳米金刚石涂层表层纳米金刚石团簇原位诱变为类金刚石；3)对类金刚石‑纳米金刚石复合涂层进行后处理。本发明不仅能够在纳米金刚石涂层表面制备类金刚石薄膜，同时大幅改善类金刚石‑纳米金刚石复合涂层的表面粗糙度，具有显著增益效果。本发明获得的类金刚石‑纳米金刚石复合涂层的表面粗糙度大幅降低，在摩擦过程中可显著降低摩擦副的摩擦系数和对磨面的磨损量。本发明的制备方法工艺简单，成本低廉，非常适合于干摩擦及水润滑工况。
基于激光辐照 dlc 纳米金刚石复合涂层制备方法

[实用新型]一种金刚石膜生长系统中的冷却装置-CN202122535973.3有效
发明人：李庆利;甄西合;赵丽媛;徐悟生;张树玉;朱逢旭;刘得顺;杨春晖 -专利权人：天津本钻科技有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：一种金刚石膜生长系统中的冷却装置，包括基体柱和冷却台，还包括配设在所述冷却台外侧的支撑件，所述支撑件能够在冷却时所述冷却台带动所述基体柱下移过程中支撑所述基体柱，以使所述基体柱与所述冷却台分离。本实用新型提出的冷却装置，在保证不影响金刚砂生长情况的条件下，冷却时，控制冷却台下移，并通过支撑件将基体柱悬空架设在冷却台上方使基体柱与水冷台分离，从而降低钼基体的导热速度，间接地减缓置于钼基体上的金刚石膜的散热速度，从而可减少金刚石膜的裂纹；还可进一步控制炉体内真空度，使钼基体与冷却台之间的间隙内无介质流动，进一步缩小钼基体降温的幅度，达到缓慢降低金刚石膜散热、减少裂纹出现的目的。
一种金刚石生长系统中的冷却装置

[发明专利]一种多光谱硫化锌窗口的退火设备和工艺-CN201911131745.0有效
发明人：李冬旭;蒋立朋;杨海;魏乃光;袁琴;杨建纯;田智睿;郭立 -专利权人：有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：一种多光谱硫化锌窗口的退火设备和工艺，退火设备包括退火炉、自动控压系统和温度控制系统；该退火炉设有进气口、出气口；内壁设有保温材料及加热装置，底部设有支撑台，该支撑台顶部设有内胆，形成退火区域；该自动控压系统包括真空泵、真空监测表、线性定位阀门与可编程PID智能调节仪；该温度控制系统包括多个热电偶，热电偶测量端位于该退火区域不同位置，各热电偶的信号输出端分别连接一个温控表的信号输入端，各温控表均与一个上位计算机的信号输入端连接，各温控表的信号输出端均与一个变压器的信号输入端连接，该变压器的控制线与各加热装置连接。本发明可以减弱多光谱硫化锌窗口材料内部残余应力，应用于红外光学材料的生产和科研中。
一种光谱硫化锌窗口退火设备工艺

[实用新型]一种用于生产硅氧负极材料基于CVD工艺的加工设备-CN202022450902.9有效
发明人：岩永贤吾;杨伟 -专利权人：佛山高砂工业窑炉有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于生产硅氧负极材料基于CVD工艺的加工设备，涉及CVD工艺加工设备领域，针对现有的加工设备存在的稳定性差，气密性不好，存在安全隐患，产品合格率低，生产连续性无法保证，无法烧成硅氧负极材料电池材料的问题，现提出如下方案，其包括加热结构，所述加热结构包括加热室、燃气燃烧嘴、加热驱动马达、加热旋转框和辅热板，所述加热结构侧壁安装有自动供料机，所述加热结构远离自动供料机的一侧安装有过筛结构，所述过筛结构包括过筛板和导料管，所述过筛结构顶端安装有排气结构。本实用新型结构新颖，且密封性好，加热速度快，安全性高，维护更换速度快，避免空气污染，保护大气环境，原料二次回收利用，成本低。
一种用于生产负极材料基于 cvd 工艺加工设备

[发明专利]基于氢离子刻蚀反应辅助激光刻蚀的金刚石微加工方法-CN202110348181.7在审
发明人：崔雨潇;马家豪;郭平 -专利权人：天津职业技术师范大学（中国职业培训指导教师进修中心）
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：一种基于氢离子刻蚀反应辅助激光刻蚀的金刚石微加工方法，包括：对金刚石试样表面进行预处理，去除表面杂质；将激光光束聚焦在预处理后的金刚石试样表面，进行激光辐照处理，将金刚石试样表层金刚石成分诱变为石墨化成分；对经过激光辐照处理的金刚石试样进行氢离子刻蚀反应，将金刚石试样表面经过激光辐照诱变产生的石墨化成分选择性去除，实现对金刚石试样的微加工。本发明通过采用激光对金刚石试件表面进行石墨化诱变，随后采用氢离子刻蚀选择性去除金刚石试件表面激光诱变的石墨化成分，避免了常规激光刻蚀过程中金刚石表面出现杂质残留和破碎崩边等损伤，显著提升了金刚石微加工的质量和精度。
基于氢离子刻蚀反应辅助激光金刚石加工方法

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