[发明专利]增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法及其应用有效
| 申请号： | 202011074091.5 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114318289B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;王晨鑫;邱海龙;吴以成 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/56;C23C14/10;C23C14/24;C23C28/00;C09K11/02;C09K11/68 |
| 代理公司： | 天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251 | 代理人： | 王海滨 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法及其应用，方法包括以下步骤：准备第一衬底和第二衬底，在第一衬底上生长单分子层二硫化钨，得到二硫化钨/SiO |
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| 搜索关键词： | 增强 过渡 金属 化合物 光致发光 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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