[发明专利]增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法及其应用

说明书

本发明公开了一种增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法及其应用，方法包括以下步骤：准备第一衬底和第二衬底，在第一衬底上生长单分子层二硫化钨，得到二硫化钨/SiOsubgt;2/subgt;/Si衬底；在第二衬底上蒸镀厚度为280～300nm的金层，再在金层上蒸镀2～25nm厚的SiOsubgt;2/subgt;层，得到SiOsubgt;2/subgt;/Au/SiOsubgt;2/subgt;/Si衬底；在二硫化钨/SiOsubgt;2/subgt;/Si衬底的单分子层二硫化钨上滴加聚甲基丙烯酸甲酯，匀胶，加热，再浸入KOH水溶液，将负载有PMMA的单分子层二硫化钨放入水中，采用SiOsubgt;2/subgt;/Au/SiOsubgt;2/subgt;/Si衬底将负载有PMMA的单分子层二硫化钨从水中托出，干燥，去除PMMA。本发明的方法增强了转移至SiOsubgt;2/subgt;/Au/SiOsubgt;2/subgt;/Si衬底上的单分子层二硫化钨的光致发光。

技术领域

本发明属于金属硫族化合物光致发光技术领域，具体来说涉及一种增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法及其应用。

背景技术

2D过渡金属硫族化合物因其独特的结构与性质引起了人们的广泛关注。类“石墨烯”材料的过渡金属硫族化合物(TMDCs)，具有原子级尺度厚度，并且具有与石墨烯类似的层状结构，其化学表达式可以简单表达为MX₂，是经典的三明治结构：X-M-X。一些2D过渡金属硫族化合物具有较强的光致发光能力，发光效率高，在电子学、光学和光电子等领域展示出了良好的应用前景，因此增强2D过渡金属硫族化合物光致发光具有重要意义。目前对于增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法有很多，例如掺杂稀土元素、将贵金属颗粒附着2D过渡金属硫族化合物表面、退火处理等，这些方法对于增强2D过渡金属硫族化合物光致发光过程复杂，重复性较差，成功率较低，因此一种简单可行的方法亟待发掘。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法。

本发明的目的是通过下述技术方案予以实现的。

一种增强2D过渡金属硫族化合物光致发光的方法，包括以下步骤：

1)准备第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底分别为SiO₂/Si衬底，清洗第一衬底，在所述第一衬底上生长单分子层二硫化钨，得到二硫化钨/SiO₂/Si衬底；在所述第二衬底上蒸镀厚度为280～300nm的金层，再在所述金层上蒸镀2～25nm厚的SiO₂层，得到SiO₂/Au/SiO₂/Si衬底；

在所述步骤1)中，清洗第一衬底的方法为：将第一衬底在丙酮中超声6～9min，再置于无水乙醇中超声7～12min，最后置于去离子水中超声5～10min，于40～80℃干燥10～50min。

在所述步骤1)中，所述SiO₂/Si衬底为镀有SiO₂层的Si片，SiO₂层的厚度为270～290nm。

在所述步骤1)中，单分子层二硫化钨位于第一衬底的SiO₂层一面，金层位于第二衬底的SiO₂层一面。