[发明专利]一种倒装焊芯片的双通道气密性封装结构及其工艺在审
| 申请号： | 202011057413.5 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112185916A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 汤姝莉;赵国良;张健;薛亚慧 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/10;H01L21/52 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装焊芯片的双通道气密性封装结构及其工艺，属于电子封装领域。倒装焊芯片安装在管壳上，倒装焊芯片的上方安装有热沉，热沉上方安装有盖板，且本发明在盖板、封焊环及管壳的连接处焊接，构成了密闭腔体，能够解决非气密性封装倒装焊芯片导致器件使用寿命较短的问题。同时采用激光熔封的方式对厚度较大的盖板进行气密性封装，可有效避免盖板在机械或热应力下发生较大形变，从而降低倒装焊芯片受到的应力，防止倒装焊点发生开裂。本发明的气密性封装结构具有上下双面散热通道，与仅经过凸点的单散热通道相比，增加了芯片上方热沉与盖板的双通道进行散热时，整体热阻可降低数倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 芯片 双通道 气密性 封装 结构 及其 工艺 | ||
【主权项】：
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