[发明专利]一种倒装焊芯片的双通道气密性封装结构及其工艺

权利要求书

1.一种双通道气密性封装结构，其特征在于，包括盖板(1)、管壳(6)及预制在管壳(6)上的封焊环(2)，所述封焊环(2)内安装有倒装焊芯片(4)和热沉(3)，盖板(1)安装在热沉(3)的上方，热沉(3)安装在倒装焊芯片(4)上方，倒装焊芯片(4)安装在管壳(6)上方，所述热沉(3)与盖板(1)和倒装焊芯片(4)之间均设有散热层。

2.根据权利要求1所述的双通道气密性封装结构，其特征在于，所述散热层为导热胶；所述倒装焊芯片(4)与管壳(6)之间设有底部填充胶(5)。

3.根据权利要求1所述的双通道气密性封装结构，其特征在于，所述封焊环(2)内壁上部开设有环形槽，环形槽形成用于放置盖板(1)的台阶面，所述盖板(1)与凹槽之间的配合间隙最大为0.1mm。

4.根据权利要求1所述的双通道气密性封装结构，其特征在于，所述倒装焊芯片(4)和热沉(3)均设有若干个，若干个倒装焊芯片(4)分散安装在管壳(6)上，每个倒装焊芯片(4)上方对应安装一个热沉(3)。

5.根据权利要求1所述的双通道气密性封装结构，其特征在于，所述热沉(3)与倒装焊芯片(4)的尺寸相同。

6.根据权利要求1所述的双通道气密性封装结构，其特征在于，所述盖板(1)表面与封焊环(2)的顶面之间的垂直高度差最大为0.5mm；热沉(3)表面的散热层与盖板(1)底面完全接触。

7.根据权利要求1所述的双通道气密性封装结构，其特征在于，管壳(6)上还安装有其他元器件(8)，所述其他元器件(8)包括表贴电阻或电容。

8.根据权利要求1所述的双通道气密性封装结构，其特征在于，所述热沉(3)为片状结构，且由AlN、Si₃N₄、Al-SiC或BeO制备而成；所述封焊环(2)和盖板(1)均选用不含S、P的可伐金属材料制备而成；封焊环(2)和盖板(1)的表面镀有镍或金。

9.一种权利要求1～8任意一项所述的双通道气密性封装结构的工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1：首先在管壳(6)上预制封焊环(2)，将盖板(1)暂时固定在封焊环(2)的上部，管壳(6)上方固定安装倒装焊芯片(4)；

S2：根据倒装焊芯片(4)的上表面与盖板(1)底面之间的垂直高度差，依据该垂直高度差制备热沉(3)；

S3：在倒装焊芯片(4)的上表面涂覆散热层，将热沉(3)放置于散热层上，并施压使散热层与热沉(3)充分接触，得到模块；

S4：对S3得到的模块进行烘干，之后在热沉(3)的上表面均匀涂覆散热层，之后将盖板(1)放置在热沉(3)上表面的导热层上，盖板(1)的两端固定在封焊环(2)上，得到待封装模块；

S5：对待封装模块进行真空烘烤，之后利用激光将盖板(1)与封焊环(2)进行熔封，检漏，若有漏气，则利用激光进行补封，直至没有漏气，得到双通道气密性封装结构。

10.根据权利要求9所述的工艺，其特征在于，所述真空烘烤的温度为散热层的固化温度，烘烤时间为24～72h。