[发明专利]一种微型芯片电容及其制造方法有效
| 申请号： | 202011029235.5 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112151512B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;丁蕾;叶雯燚;陈靖;任卫朋;王立春 | 申请（专利权）人： | 上海航天电子通讯设备研究所 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 王晶;胡晶 |
| 地址： | 201109 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微型芯片电容及其制造方法。该芯片电容包括：依次层叠的预制焊料锡层、预制焊料金层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层、介质层，电极层。其制造方法包括：S1：提供一铝硅合金衬底并前处理；S2：在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层；在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层；S3：在所述阻挡层上镀金，形成预制焊料金层；在所述黏结层上镀上导电层；S4：在导电层上溅射介质层、电极层；S5：在所述预制焊料金层上通过电沉积锡，形成预制焊料锡层；S6：划片得到独立的微型芯片电容。本发明以铝硅合金作为衬底，衬底无需抛光、无需溅射打底层、电容面积大、制作周期短，降低了微型芯片电容的装配难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 芯片 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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