[发明专利]一种P型半导体层生长方法、LED外延层及芯片有效
| 申请号： | 202010982471.2 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN113451454B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 翟小林;杨顺贵;林雅雯;黄国栋;黄嘉宏 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 李发兵 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种P型半导体层生长方法、LED外延层及芯片。在生长P型半导体层时，以二维生长模式生长下部分层与上部分层，以三维生长模式生长中部分层，二维生长模式下生长的层结构具有良好的晶体质量与界面质量，因此，上部分层与下部分层不仅对中部分层形成了保护，同时也保证了P型半导体层整体的界面质量。中部分层具有较高的空穴浓度、较为粗糙的表面以及同上部分层、下部分层不同的折射率，提升了电流扩展效果，增加了LED外延层出光面的总面积，向光子提供更多的机会从器件表面出射，从而增加光提取效率。此外，表面粗糙也能够降低内反射，使得更多的光能够被提取出去，从而进一步增大光提取效率，提高LED芯片的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 生长 方法 led 外延 芯片 | ||
【主权项】：
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