[发明专利]一种P型半导体层生长方法、LED外延层及芯片

权利要求书

1.一种P型半导体层生长方法，其特征在于，P型半导体层包括下部分层、中部分层及上部分层，所述P型半导体层生长方法包括：

以二维生长模式生长所述下部分层；

以三维生长模式生长所述中部分层，包括以三维生长模式循环交替生长无Mg掺杂的中部第一AlGaN层与含In掺杂的中部第一MgN层，循环次数大于2；以三维生长模式生长同时掺杂Mg与In的中部第二AlGaN层；

以二维生长模式生长所述上部分层；

其中，所述中部分层与所述上部分层的接触面为具有凹凸结构的粗糙面。

2.如权利要求1所述的P型半导体层生长方法，其特征在于，所述以三维生长模式生长的方式包括以下两种中的至少一种：

以氮气为载气进行生长；

在第一温度下进行生长；

所述以二维生长模式生长的方式包括以下两种中的至少一种：

以氢气为载气进行生长；

在第二温度下进行生长，所述第二温度高于所述第一温度。

3.如权利要求1或2所述的P型半导体层生长方法，其特征在于，所述以二维生长模式生长所述下部分层包括：

以二维生长模式生长无镁Mg掺杂的下部第一铝镓氮AlGaN层；

以二维生长模式生长含铟In掺杂的下部第一氮化镁MgN层；

以二维生长模式生长同时掺杂Mg与In的下部第二AlGaN层。

4.如权利要求1或2所述的P型半导体层生长方法，其特征在于，所述以二维生长模式生长所述上部分层包括：

以二维生长模式生长无Mg掺杂的上部第一AlGaN层；

以二维生长模式生长含In掺杂的上部第一MgN层；

以二维生长模式生长同时掺杂Mg与In的上部第二AlGaN层。

5.一种LED外延层，其特征在于，所述LED外延层自下而上依次包括：

N型半导体层；

量子阱层；以及

P型半导体层；

其中，所述P型半导体层包括下部分层、中部分层与上部分层，所述下部分层与所述上部分层均为二维模式层，所述中部分层为三维模式层，且所述中部分层与所述上部分层的接触面为具有凹凸结构的粗糙面；所述中部分层自下而上依次包括：至少两次循环交替的无Mg掺杂的中部第一AlGaN层与含In掺杂的中部第一MgN层；以及同时掺杂Mg与In的中部第二AlGaN层。

6.如权利要求5所述的LED外延层，其特征在于，所述下部分层自下而上依次包括：

无Mg掺杂的下部第一AlGaN层；

含In掺杂的下部第一MgN层；

同时掺杂Mg与In的下部第二AlGaN层。

7.如权利要求5所述的LED外延层，其特征在于，所述上部分层自下而上依次包括：

无Mg掺杂的上部第一AlGaN层；

含In掺杂的上部第一MgN层；

同时掺杂Mg与In的上部第二AlGaN层。

8.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片中包括N电极、P电极以及如权利要求5-7任一项所述的LED外延层，所述N电极与所述LED外延层中的所述N型半导体层电连接，所述P电极与所述LED外延层中的所述P型半导体层电连接。