[发明专利]用于生长半导体晶片的装置和相关联的制造方法在审
| 申请号： | 202010915041.9 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112447581A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | R·安扎隆;N·法拉泽托;F·拉维亚 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/205;C30B25/08;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及用于生长半导体晶片的装置和相关联的制造方法。一种用于生长特别是碳化硅的半导体晶片的装置，其中腔室容纳收集容器、以及被布置在容器之上的支撑件或衬托器。支撑件由围绕开口的框架形成，该开口接纳多个臂和座。框架具有彼此相对的第一表面和第二表面，其中框架的第一表面面对支撑件。臂由从框架延伸到开口中的悬臂杆形成，臂具有比框架小的最大高度，并且在顶部具有搁置边缘。臂的搁置边缘限定了搁置表面，该搁置表面在比框架的第二表面低的水平处。座具有由搁置表面形成的底部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 半导体 晶片 装置 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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