[发明专利]用于生长半导体晶片的装置和相关联的制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

腔室；

收集容器，在所述腔室中；以及

支撑件，在所述腔室中并且在所述容器之上，

所述支撑件包括框架、由所述框架围绕的开口、多个臂、以及在所述开口内的座，

所述框架具有彼此相对的第一表面和第二表面，

所述框架的所述第一表面面对所述收集容器，

所述臂是从所述框架延伸到所述开口中的悬臂杆，

所述臂中的每个臂具有比所述框架的最大高度小的最大高度，并且所述臂中的每个臂具有搁置边缘，

所述臂的所述搁置边缘限定搁置表面，所述搁置表面在比所述框架的所述第二表面低的水平处，

所述座具有由所述搁置表面形成的底部。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述搁置表面被定位在距所述第二表面一距离处，所述距离实质上等于在使用中要被插入到所述座中的衬底的厚度。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述搁置表面被定位在距所述第二表面一距离处。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述臂中的每个臂包括上部，所述上部由至少一个倾斜侧界定，并且每个臂的所述倾斜侧具有相对于所述搁置表面非零的倾斜度。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述臂中的每个臂包括上部，所述上部由一对上倾斜侧界定，所述一对上倾斜侧连续并且相交以形成顶端。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述臂中的每个臂包括下部，所述下部由一对下倾斜侧界定。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述臂中的每个臂具有五边形的截面。

8.根据权利要求6所述的装置，其中相对于平行于所述搁置表面的平面，所述下倾斜侧具有比所述上倾斜侧的倾斜度大的倾斜度。

9.根据权利要求1所述的装置，还包括：

多个突起，从所述框架延伸到所述开口中，

所述多个突起中的每个突起具有连接壁和横向壁，所述连接壁从所述框架横向延伸，所述横向壁在所述连接壁之间延伸，

所述横向壁与所述搁置表面一起形成所述座，

所述臂中的每个臂从相应的横向壁延伸。

10.一种方法，包括：

将第一材料的衬底定位在装置中，

所述装置包括腔室、在所述腔室中的收集容器、以及在所述腔室中并且在所述容器之上的支撑件，

所述支撑件包括框架、由所述框架围绕的开口、多个臂、以及在所述开口内的座，

所述框架具有彼此相对的第一表面和第二表面，

所述框架的所述第一表面面对所述收集容器，

所述臂是从所述框架延伸到所述开口中的悬臂杆，

所述臂中的每个臂具有比所述框架的最大高度小的最大高度，并且所述臂中的每个臂具有搁置边缘，

所述臂的所述搁置边缘限定搁置表面，所述搁置表面在比所述框架的所述第二表面低的水平处，

所述座具有由所述搁置表面形成的底部，

所述衬底被定位在所述座中并且与所述框架大致齐平；

在所述衬底上形成第二材料的层，所述第二材料的所述层具有第一厚度；

通过熔化所述衬底的至少一个第一部分，将所述衬底的所述第一部分与所述第二材料的所述层相继地分开；以及

生长所述第二材料的所述层，直到所述第二材料的所述层具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在生长所述第二材料的所述层之后，通过化学蚀刻将所述衬底的第二部分与所述第二材料的所述层分开。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二材料包括碳化硅，并且所述第一材料包括硅。