[发明专利]一种半导体侧面处理方法在审
| 申请号： | 202010902560.1 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN114107957A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 胡咏兵 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/34;C23C16/52;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体侧面处理方法，包括：将待处理的半导体放入反应腔内；控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5Torr；向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层。采用本发明的技术方案能够对半导体的侧面进行加工处理，减小侧面的粗糙程度对半导体的工作性能产生的影响，从而保证半导体的灵敏度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 侧面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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