[发明专利]一种半导体侧面处理方法

说明书

本发明公开了一种半导体侧面处理方法，包括：将待处理的半导体放入反应腔内；控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5Torr；向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层。采用本发明的技术方案能够对半导体的侧面进行加工处理，减小侧面的粗糙程度对半导体的工作性能产生的影响，从而保证半导体的灵敏度和稳定性。

技术领域

本发明涉及微电子加工技术领域，尤其涉及一种半导体侧面处理方法。

背景技术

通常，半导体的正面和反面都是加工过程中主要控制部分，而半导体的侧面往往被忽略，例如，半导体一般是包括六个面的长方体，其中的正面、反面、左面和右面都被加工处理，而剩下两个侧面未被加工处理，这两个侧面属于切割的位置，相应的，侧面的粗糙程度主要是半导体在切割时形成的，具体的粗糙程度往往取决于刀锋的锋利程度和切割速度，更严重的，如果产生崩裂，就会造成半导体侧面残渣的掉落的可能。

半导体的侧面的粗糙程度往往对半导体的工作性能产生巨大影响，如果侧面特别粗糙，那么半导体的灵敏度和稳定性都会受到影响。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半导体侧面处理方法，能够对半导体的侧面进行加工处理，减小侧面的粗糙程度对半导体的工作性能产生的影响，从而保证半导体的灵敏度和稳定性。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种半导体侧面处理方法，包括：

将待处理的半导体放入反应腔内；

控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5Torr；

向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；

采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层。

进一步地，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为135sccm～140sccm，氨气的流量为1800sccm，所采用的电源的功率为1200W，沉积时间为20min。

进一步地，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为150sccm～180sccm，氨气的流量为2000sccm，所采用的电源的功率范围为2000W～2500W，沉积时间为10min。

进一步地，所述氮化硅层的厚度为1500A～2000A。

与现有技术相比，本发明实施例提供了一种半导体侧面处理方法，将待处理的半导体放入反应腔内；控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5Torr；向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层；本发明实施例能够对半导体的侧面进行加工处理，使得氮化硅层完全覆盖在半导体的侧面，形成保护膜，成膜致密，不会带来杂质颗粒，可以相应减小侧面的粗糙程度对半导体的工作性能产生的影响，从而保证半导体的灵敏度和稳定性。

附图说明

图1是本发明提供的一种半导体侧面处理方法的一个优选实施例的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种半导体侧面处理方法，参见图1所示，是本发明提供的一种半导体侧面处理方法的一个优选实施例的流程图，所述方法包括步骤S11至步骤S14：

步骤S11、将待处理的半导体放入反应腔内；