[发明专利]一种半导体侧面处理方法

权利要求书

1.一种半导体侧面处理方法，其特征在于，包括：

将待处理的半导体放入反应腔内；

控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5Torr；

向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；

采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层。

2.如权利要求1所述的半导体侧面处理方法，其特征在于，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为135sccm～140sccm，氨气的流量为1800sccm，所采用的电源的功率为1200W，沉积时间为20min。

3.如权利要求1所述的半导体侧面处理方法，其特征在于，沉积氮化硅时硅烷的流量范围为150sccm～180sccm，氨气的流量为2000sccm，所采用的电源的功率范围为2000W～2500W，沉积时间为10min。

4.如权利要求1～3任一项所述的半导体侧面处理方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为1500A～2000A。