[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202010884327.5 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN113410210A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 新居雅人;冈山康则 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供布线容量低的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有多个布线和绝缘空间。绝缘空间配置于相邻的布线之间。绝缘空间由绝缘材料围成。绝缘空间充满大气压或压力低于大气压的空气。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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