[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种能够实现电特性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有：半导体柱，具有沟道且沿第一方向延伸，并在第二方向上隔着绝缘部而配置有多个；以及第一布线及第二布线，沿着第二方向配置于半导体柱的两侧。具有配置于沟道与第一布线之间的第一电极、配置于沟道与第二布线之间的第二电极、以及阻挡绝缘膜。沟道中的所述第一电极侧的沟道部与所述第二电极侧的沟道部经由连接沟道部而呈环状地相互连接。假定包含第一布线、第一电极、半导体柱、第二电极以及第二布线的截面，若规定截面中的第一沟道部的沿着第二方向的两端部的第一中点和截面中的第二沟道部的沿着第二方向的两端部的第二中点，则连结第一中点与第二中点的中心线相对于第二方向以任意的角度倾斜。