[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有：

半导体柱，具有沟道且沿第一方向延伸，在与所述第一方向交叉的第二方向上隔开规定的间隔，隔着绝缘部而配置有多个；

第一布线以及第二布线，沿相对于所述第一方向交叉的第二方向延伸，沿所述第二方向而分别配置于所述半导体柱的两侧；

第一电极，配置于所述半导体柱的沟道与所述第一布线之间；

第二电极，配置于所述半导体柱的沟道与所述第二布线之间；

第一绝缘膜，配置于所述第一电极与所述第一布线之间；以及

第二绝缘膜，配置于所述第二电极与所述第二布线之间，

在所述沟道中，具有所述第一电极侧的沟道部与所述第二电极侧的沟道部，

所述第一电极侧的沟道部与所述第二电极侧的沟道部经由配置于所述半导体柱的周围的连接沟道部而以包围所述半导体柱的周围的环状连接，

在假定与所述第一方向交叉且包含所述第一布线、所述第一电极、所述半导体柱、所述第二电极以及所述第二布线的截面的情况下，

若规定所述截面中的所述第一沟道部的沿着所述第二方向的两端部与所述两端部的第一中点、并规定所述截面中的所述第二沟道部的沿着所述第二方向的两端部与所述两端部的第二中点，则连结所述第一中点与所述第二中点的中心线相对于所述第二方向以任意的角度倾斜。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，

所述角度被设定为30～89゜。

3.如权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述第一电极侧的沟道部与所述第一电极之间以及所述第二电极侧的沟道部与所述第二电极之间分别配置有第三绝缘膜。

4.如权利要求1所述的半导体存储装置，

所述半导体柱与所述绝缘部沿着所述第二方向交替地配置，包含所述第一布线、所述第一电极及所述半导体柱的存储单元构造体、以及包含所述第二布线、所述第二电极及所述半导体柱的存储单元构造体沿着所述第二方向配置为交错状。

5.如权利要求1所述的半导体存储装置，

所述半导体柱与所述绝缘部沿着所述第二方向交替地配置，包含所述第一布线、所述第一电极及所述半导体柱的存储单元构造体、以及包含所述第二布线、所述第二电极及所述半导体柱的存储单元构造体沿着所述第二方向以规定的间隔配置。

6.如权利要求1所述的半导体存储装置，

所述半导体柱与所述绝缘部沿着所述第二方向交替地配置，包含所述第一布线、所述第一电极及所述半导体柱的存储单元构造体、以及包含所述第二布线、所述第二电极及所述半导体柱的存储单元构造体沿着所述第二方向以规定的间隔配置有多个，

在沿着所述第三方向的设于所述绝缘部的厚度方向两侧的单元构造体中，包含所述第一电极的单元构造体的沟道部不是与最接近的包含所述第二电极的单元构造体的沟道部连接，而是与沿着所述第二方向相邻的一个包含所述第二电极的单元构造体的沟道部连接。