[发明专利]一种半导体芯片对准标记的制作方法及半导体芯片在审
| 申请号： | 202010872619.7 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112201579A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 魏伟;罗烨辉;赵艳黎;王志成;龚芷玉;郑昌伟;李诚瞻;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片对准标记的制作方法及半导体芯片，所述方法包括以下步骤：在衬底之上形成外延层；在外延层之上形成掩膜层；通过光刻并刻蚀掩膜层的注入区窗口和对准标记窗口，直到露出外延层上表面的对应区域；在注入区窗口进行离子注入；在除了对准标记窗口之外的半导体芯片表面区域形成标记光刻层；利用标记光刻层作为掩膜对所述外延层上表面的对应区域进行刻蚀，将其刻蚀至指定深度；去除标记光刻层和所述掩膜层。本发明在形成注入区窗口的同时，也在划片道上形成对准标记，通过光刻刻蚀把掩膜层的对准标记传递到外延层上形成永久标记，作为后续光刻涂层的对准标记，降低了两层间对准精度偏差值，提升了套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 对准 标记 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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