[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010792984.7 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111952281A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 宇佐美达矢;三浦幸男;土屋秀昭 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L23/522;H01L21/768;H01L21/321;H01L21/311;H01L21/3105;H01L21/265;H01L21/263;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件具有：层间绝缘膜(INS2)；在层间绝缘膜(INS2)内形成的相邻的Cu配线(M1W)；以及与层间绝缘膜(INS2)的表面和Cu配线(M1W)的表面接触、且将层间绝缘膜(INS2)和Cu配线(M1W)覆盖的绝缘性阻挡膜(BR1)。而且，在相邻的Cu配线(M1W)之间，层间绝缘膜(INS2)在其表面具有损伤层(DM1)，在比损伤层(DM1)深的位置具有电场缓和层(ER1)，该电场缓和层(ER1)具有比损伤层(DM1)的氮浓度高的氮浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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