[发明专利]半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法在审
| 申请号： | 202010777454.5 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN114068276A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 孙祥;段蛟;陈星建 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;C23C14/24;C23C14/08;C23C14/06 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 文言;田宇 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种半导体零部件，包括零部件本体，零部件本体表面具有耐等离子体涂层，耐等离子体涂层包括至少两种稀土金属元素的氧化物、氧氟化物或氟化物中的一种或多种，其中一种稀土元素为铈元素，铈元素使氧空位的活性较高，活性较高的氧空位能够分解等离子体环境中的碳氟聚合物。由于铈元素具有化学价态可调的性质，并且在等离子体反应装置中的工作环境下，具有易释放晶格氧和恢复晶格氧的特点，因此在刻蚀过程中能够将碳氟聚合物分解为气体，将等离子体作用下生成的氟化物还原为氧化物，进而防止碳氟聚合物和氟化物以颗粒的形式脱落，避免反应腔内环境污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 零部件 等离子体 反应 装置 涂层 形成 方法 | ||
【主权项】：
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