[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，包含：形成主动层于基板上，基板具有相邻的字线预定区和选择栅极预定区；形成包含第三硬遮罩层的硬遮罩堆叠于主动层上；图案化第三硬遮罩层，形成第三硬遮罩，在字线预定区最靠近选择栅极预定区的两个紧临的第三硬遮罩之间具有第一间距，第一间距小于任何其他两个之间的第二间距；形成间隔物于第三硬遮罩的侧壁上，在两个紧临的第三硬遮罩的相对的侧壁上的两个间隔物合并成组合间隔物；形成图案化遮罩结构于选择栅极预定区中；将间隔物与图案化遮罩结构的图案转移到主动层，形成字线与选择栅极。将间隔物的图案转移到主动层的步骤包含将组合间隔物的图案转移到主动层，在最靠近选择栅极处形成第一字线。