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[发明专利]存储元件及其制造方法-CN202210290791.0在审
发明人： 韦承宏;尤建祥 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种存储元件及其制造方法，存储元件包括基底、多个堆叠结构以及保护层。多个堆叠结构沿着第一方向排列在基底的阵列区上，且每一堆叠结构沿着不同于第一方向的第二方向延伸。在存储元件的剖视图中，每一堆叠结构自基底依序包括电荷存储结构、控制栅极及顶盖层，且顶盖层具有多层结构。保护层覆盖堆叠结构的侧壁。电荷存储结构沿第一方向的宽度、控制栅极沿第一方向的宽度及顶盖层沿第一方向的宽度彼此实质上相等。
存储元件及其制造方法

[发明专利]切割晶圆的方法及晶粒-CN201910264070.0有效
发明人： 韦承宏;陈宏生;陈靖为;张硕哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种切割晶圆的方法及晶粒。所述方法包括以下步骤：提供晶圆，晶圆包括多个晶粒区以及位于多个晶粒区之间的切割区。切割区包括衬底以及位于衬底上方的介电层与测试结构，测试结构设置于介电层中。进行第一移除工艺，以移除测试结构及其周围的介电层，并暴露出衬底。第一移除工艺包括进行多次蚀刻循环，其中每一多次蚀刻循环包括：进行第一蚀刻工艺，以移除测试结构的一部分以及进行第二蚀刻工艺，以移除介电层的一部分。进行第二移除工艺，以移除位于切割区的衬底，并形成多个彼此分离的晶粒。
切割方法晶粒

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN201811195386.0有效
发明人： 韦承宏;陈宏生 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体芯片的制造方法，包括：在基底上形成第一金属图案，其中第一金属图案位于基底的芯片区与切割区内，且切割区围绕芯片区；在第一金属图案上形成金属材料层；图案画金属材料层，以移除金属材料层的位于切割区内的实质上所有部分以及位于芯片区内的一部分，从而形成位于芯片区内的第二金属图案；形成第三金属图案，其中第三金属图案覆盖芯片区内的第二金属图案，且位于切割区内的第一金属图案上；以及沿切割区进行单体化，以形成半导体芯片。
半导体芯片制造方法

[发明专利]存储器元件及其制造方法-CN201910044052.1有效
发明人： 韦承宏;尤建祥;陈宏生 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器元件及其制造方法，所述存储器元件包括：基底、多个堆叠结构、保护层以及多个接触插塞。堆叠结构配置于基底上。保护层共形地覆盖堆叠结构的顶面与侧壁。接触插塞分别配置在堆叠结构之间的基底上。接触插塞中的一者包括窄部与位于窄部上的宽部。在上视图中宽部与其相邻的保护层之间相隔一距离。
存储器元件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110275944.X在审
发明人：潘增燿;尤建祥;王景拥;韦承宏;王明沧 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括主干部与分支部。主干部在第一方向上延伸。分支部连接于主干部。分支部包括柄部与双叉部。柄部连接于主干部，且在第二方向上延伸。第二方向相交于第一方向。双叉部连接于柄部。柄部的线宽大于双叉部的线宽。上述半导体结构可有效地防止半导体结构受损或发生断线。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]切割晶圆的方法-CN201811344565.6有效
发明人：陈靖为;韦承宏;张硕哲;陈宏生;周信宏 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种切割晶圆的方法，包括：提供晶圆，包括基底、形成于基底中及基底上的多个晶粒以及位于相邻晶粒之间的切割区内的切割道结构；移除切割道结构的位于测试元件周围的部分；将晶圆的前侧附着于第一胶带；自晶圆的背侧移除基底的交叠于切割区的部分；将晶圆的背侧附着于第二胶带；以及移除第一胶带以及附着于第一胶带上的切割道结构的剩余部分，而使多个晶粒分离地附着于第二胶带上。
切割方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010765884.5在审
发明人：潘增耀;尤建祥;陈宏生;王景擁;韦承宏 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，包含：形成主动层于基板上，基板具有相邻的字线预定区和选择栅极预定区；形成包含第三硬遮罩层的硬遮罩堆叠于主动层上；图案化第三硬遮罩层，形成第三硬遮罩，在字线预定区最靠近选择栅极预定区的两个紧临的第三硬遮罩之间具有第一间距，第一间距小于任何其他两个之间的第二间距；形成间隔物于第三硬遮罩的侧壁上，在两个紧临的第三硬遮罩的相对的侧壁上的两个间隔物合并成组合间隔物；形成图案化遮罩结构于选择栅极预定区中；将间隔物与图案化遮罩结构的图案转移到主动层，形成字线与选择栅极。将间隔物的图案转移到主动层的步骤包含将组合间隔物的图案转移到主动层，在最靠近选择栅极处形成第一字线。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201911317831.0在审
发明人： 韦承宏;尤建祥;陈宏生 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。此电阻式随机存取存储器包括形成于基板上的第一介电层，以及两个存储器单元。此两个存储器单元包括两个彼此分离的底电极结构，分别填满位于第一介电层中的两个沟槽。此两个存储器单元亦包括电阻转态层以及顶电极结构。电阻转态层顺应性地形成于位于第一介电层中的开口的表面，且此开口位于两个沟槽之间。顶电极结构位于电阻转态层上且填满开口。第一介电层的顶表面、底电极结构的顶表面、电阻转态层的顶表面与顶电极结构的顶表面实质上共平面。本发明可大幅增加存储器单元的密度，从而可有利于电阻式随机存取存储器的微小化。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]快闪存储器的制作方法-CN201010184742.6有效
发明人：蒋汝平;韦承宏;廖修汉;廖振刚 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种快闪存储器的制作方法，包括以下步骤：提供一衬底，包括一阵列区和一周边区；形成多个栅极于阵列区和周边区的衬底上；形成第一间隙壁于阵列区和周边区的栅极侧壁；形成一第一覆盖层于阵列区和周边区的衬底和上述栅极上方；图形化第一覆盖层，形成对准阵列区的上述栅极间区域的图形化第一覆盖层，以定义阵列区的源极和漏极的区域；形成一第二间隙壁于周边区的栅极侧壁；形成一第二覆盖层于上述栅极和图形化第一覆盖层上方；图形化第二覆盖层，于阵列区的图形化第一覆盖层上形成阵列区的源/漏极接触开口；及移除阵列区的源/漏极接触开口下的第一覆盖层。
闪存制作方法

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