[发明专利]一种铁硅磁性薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202010758025.3 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111883358A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 严鹏飞;李同奎;严彪 | 申请（专利权）人： | 上海制驰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;H01F10/18;C22C38/02;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/50 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 褚明伟 |
| 地址： | 200082 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种铁硅磁性薄膜及其制备方法，其成分质量百分比含量为：2.0～10.0wt.％Si，以及余量的Fe。其制备方法包含：将分别含有铁、硅元素的材料以粉末冶金的方法制备合金靶材；选择单晶硅作为基底材料；将基底材料加热至20‑200℃之间；进行磁场真空蒸镀，真空蒸镀在保护气中进行，所述真空蒸镀的参数为，背底真空度高于7×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 磁性 薄膜 及其 制备 方法 | ||
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- 本发明涉及磁性薄膜材料的制备方法。所制材料包括Cu底层，SmCo5磁性层，Cr防氧化层。其磁性层是通过Sm、Co单一薄层在高温下扩散形成的。薄膜采用脉冲激光沉积法制备，基片为Si(100)单晶，真空室真空度为2×10-4Pa，沉积温度为400℃，激光频率为8Hz，能量190mJ/pulse。Cu底层沉积时间为60分钟，随后Sm/Co靶交替沉积，Sm靶沉积时间为6秒，Co靶沉积时间为3分钟，重复10次。磁性层上镀Cr防氧化层，沉积时间为5分钟。样品经700℃退火30分钟后在真空腔中自然冷却至室温。本发明在制备SmCo5薄膜时区别以往的制备工艺，是一种新的制备SmCo5薄膜的方法。
- 磁性多层膜纳米碗单层阵列的制备方法-200910218044.0
- 张永军;王雅新;丁雪;杨艳婷;杨景海 - 吉林师范大学
- 2009-12-09 - 2011-06-15 - H01F41/14
- 本发明涉及一种磁性多层膜纳米碗单层阵列的制备方法，该方法的具体步骤是首先采用自组装技术在硅或玻璃或ITO衬底上制备二维胶体球阵列，然后在胶体球阵列上通过溅射技术沉积Co/Pt多层膜，再将长有多层膜的胶体球阵列转移到另一块衬底上，最后利用选择刻蚀技术除掉胶体球，在新衬底上形成纳米碗阵列。该阵列被广泛的应用于微生物学、药物学、高密度磁存储及微流体学等领域。
- 制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法-200810115182.1
- 张兴旺;高云;屈盛;陈诺夫 - 中国科学院半导体研究所
- 2008-06-18 - 2009-12-23 - H01F41/14
- 本发明一种制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用双亲嵌段共聚物PS-P4VP在甲苯中自组装成反胶束，然后将金属盐FeCl3和H2PtCl6加入所述反胶束溶液中，形成金属盐负载的反胶束；步骤2：利用旋涂法在硅衬底上获得反胶束阵列，并通过氧等离子体和氢等离子体刻蚀而得到单分散性良好的FePt纳米颗粒阵列；步骤3：用磁控溅射法在FePt纳米颗粒阵列上覆盖一层SiO2保护层；步骤4：保护气氛下对样品进行高温退火，完成平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的制作。
- 铁酸钴磁性厚膜的制备方法-200910046943.7
- 翟继卫;莫伟锋;张玲 - 同济大学
- 2009-03-03 - 2009-10-28 - H01F41/14
- 本发明涉及电子材料与器件领域，公开了一种铁酸钴磁性厚膜的制备方法，为将铁酸钴分散在溶剂中制成浓度均匀的悬浮液，然后在恒电场条件下经过电泳沉积制备而成。本发明制得的铁酸钴磁性厚膜具有较高的矫顽磁场和磁饱和强度，可应用于制备厚膜电容，移相器，而且具有设备简单、成本低、成膜快、组分易于控制的特点。
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