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[实用新型]承载装置和半导体腔室-CN202222651140.8有效
发明人：范天庆;姚明可 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及承载装置和半导体腔室。该承载装置用于半导体腔室中承载晶圆，包括基座本体、多个顶针和至少两个支撑片：基座本体上设置有与多个顶针对应配合的多个顶针限位孔；顶针设置于顶针限位孔中，基座本体相对顶针间能进行升降运动；以取放晶圆的方向为轴，至少两个支撑片设置于轴两侧，并由多个顶针支撑，当基座本体相对顶针上升至多个顶针均容置于顶针限位孔中时，至少两个支撑片的上表面均与基座本体的上表面处于同一平面。本申请中支撑片与晶圆的接触面积远远大于现有技术中顶针与晶圆的接触面积，因此，在基座与晶圆分离时能使晶圆受力更为均匀，可显著减少碎片现象。
承载装置半导体

[发明专利]内衬装置及半导体加工设备-CN202110578246.7有效
发明人： 姚明可;朱海云;朱旭;马振国 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种内衬装置及半导体加工设备，该内衬装置包括内衬组件和排气通道结构，排气通道结构的进气口与工艺腔室的内部连通；排气通道结构的出气口与工艺腔室的排气口连通；内衬组件包括沿工艺腔室的径向由中心向边缘依次嵌套的第一金属衬环、绝缘衬环和第二金属衬环；其中，排气通道结构的进气口位于第一金属衬环的内周壁上；第一金属衬环的轴向长度被设置为能够覆盖绝缘衬环的内周壁位于指定高度位置以上的区域，以防止薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上。本发明实施例提供的内衬装置及半导体加工设备，可以在实现工艺腔室内部气体排出的前提下，避免薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上，从而可以提高工艺结果的一致性和稳定性。
内衬装置半导体加工设备

[发明专利]半导体工艺设备中的承载装置和半导体工艺设备-CN202110560026.1有效
发明人：朱旭;姚明可;朱海云;马振国;魏延宝 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备中的承载装置和半导体工艺设备，该装置包括基座和环绕在基座周围的边缘环，基座主体的外周面与边缘环的内周面相对且相互间隔，形成第一环状气道，基座主体承载有晶圆时，边缘环的上表面和晶圆的下表面相对且互相间隔，形成第二环状气道；第一环状气道与第二环状气道相连通，且在第一台阶部中设置有进气气道，进气气道的出气端与第一环状气道相连通；第一环状气道在基座的径向上的第一宽度以及第二环状气道在基座的轴向上的第二宽度均小于等于半导体工艺设备执行预设工艺时产生的等离子体鞘层的厚度的两倍。本发明的技术方案，既能保证位于晶圆边缘部分下方的气道通畅，又能抑制晶圆背面在该气道中发生放电或打火。
半导体工艺设备中的承载装置

[发明专利]增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法-CN201810620121.4有效
发明人：冯春;姚明可;王世如;唐晓磊;于广华 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01F41/14 文献下载
摘要：一种增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法，属于高密度信息存储及传感技术领域。在经过表面酸化处理的硅Si基片上，沉积铬Cr/铁氮FeNx/氧化镁MgO/钽Ta多层膜，沉积完毕后进行热处理，促进N原子在间隙位置处的均匀占据。N原子能够改变Fe的配位环境，引起Fe/MgO界面处的电荷重新分布，有效地调节Fe的能带结构，大大增加dz2轨道上的电子占据，进而能够调节Fe 3dz2–O 2pz轨道杂化状态，使得薄膜的界面磁各向异性能显著增加。本发明只需要在制备Fe薄膜的过程中，通入氮气，就能够直接调节Fe‑O的轨道杂化强度，并增加界面磁各向异性能，不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，具有制备简单、控制方便的特点；具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来自旋电子学技术中。
增加金属氧化物双层界面各向异性方法