[发明专利]一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法在审
| 申请号： | 201811119674.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109273254A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张文旭;龚雪;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;G01D5/12;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法，磁性薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法依次在基底上形成缓冲层、NiFe磁性薄膜和保护层层叠的多层膜结构，所述缓冲层的材料为TaNb合金；溅射完成后进行真空退火处理。本发明利用TaNb合金替代传统金属Ta作为缓冲层，通过改善磁层结构，为磁阻薄膜的生长提供良好的平整度，在常温下也可更好地诱导NiFe薄膜形成特定的(111)晶向的生长，从而提高了薄膜的AMR值，并且降低了薄膜的矫顽力，使得薄膜的灵敏度提高。因此本方法对于磁传感器器件性能的提高具有巨大的潜在价值。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 薄膜 各向异性磁电阻 坡莫合金薄膜 磁性薄膜 磁性能 磁控溅射法 多层膜结构 薄膜形成 传统金属 磁传感器 磁阻薄膜 合金替代 器件性能 真空退火 生长 常温下 矫顽力 灵敏度 平整度 磁层 基底 溅射 晶向 合金 诱导 | ||
【主权项】：
1.一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法，其特征在于，采用磁控溅射法依次在基底上形成缓冲层、NiFe磁性薄膜和保护层层叠的多层膜结构，所述缓冲层的材料为TaNb合金；溅射完成后进行真空退火处理。
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