[发明专利]一种存储器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010740492.3 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111834315A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈立军;曹立强;姚大平 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/18;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 梁岩 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器结构及其制造方法，该结构包括：多个相同结构的存储单元；存储单元包括：存储模块，存储模块上覆盖有塑封层，存储模块底部设置有连接件，存储模块的侧边设置有金属柱，连接件延伸至存储模块的侧边，与金属柱电连接；其中，多个相同结构的存储单元堆叠设置，位于下方的存储单元通过所述金属柱与位于上方的存储单元的连接件电连接。本发明通过存储模块堆叠的方式扩大存储器的容量，无需外接引线，避免引线之间的干扰，无需通过复杂的封装工艺来实现高容量存储器的制作，也不需要复杂的芯片组装设备，封装工艺简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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