[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010724356.5 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN113972273A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 金吉松;亚伯拉罕·庾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一区；位于所述第一区上的第一极化层，所述第一极化层的材料为具有第一极化原子的半导体化合物材料；位于所述第一极化层上的第一栅极结构。通过位于所述第一区上的第一极化层，所述第一极化层的材料为具有第一极化原子的半导体化合物材料。由于所述第一极化层中所述第一极化原子直接与半导体材料形成相对应的盐类化合物，使得所述第一极化层能够具有更高的阈值电压，进而在多阈值电压的环境中，使得各个阈值电压的调节范围增大，减小了不同栅极的阈值电压相同的问题，有效提升了最终形成的半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010724356.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
