[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010714975.6 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112530914A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 胁冈宽之 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/18;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/98 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备第1半导体芯片和第2半导体芯片，第1半导体芯片具备导电性焊盘、设置于导电性焊盘之上并具有使导电性焊盘的一部分露出的开口的绝缘层、以及设置于绝缘层之上并经由开口连接于导电性焊盘的第1凸块层，第2半导体芯片具备电极和设置于电极之上的第2凸块层。第1凸块层包括设置于开口并且与第2凸块层相接的凹部、和设置于开口的周围并且与第2凸块层相接的凸部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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