[发明专利]半导体装置以及半导体封装装置有效
| 申请号： | 202010696748.5 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN111863811B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 安田英司;今井俊和;大河亮介;今村武司;坂本光章;吉田一磨;平子正明;升元康之;曾田茂稔;太田朋成 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/417;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 安香子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置及半导体封装装置，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，背面电极厚度为25μm以上35μm以下，在平面视下，半导体基板以向背面电极侧凸起的方式弯曲，设其对角尺寸为Lmm时，背面电极厚度相对于包括半导体基板和低浓度杂质层的半导体层的比例为(－0.48×L+2.07)以上(－0.48×L+2.45)以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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