[发明专利]半导体器件及半导体封装件在审

专利信息
申请号: 202010676514.4 申请日: 2020-07-14
公开(公告)号: CN112242379A 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 金恩知;赵星东;朴光郁;朴相俊;李大硕;李学承 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/48;H01L23/498
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;赵莎
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种半导体器件及半导体封装件。所述半导体器件包括具有有源表面的半导体衬底,半导体元件设置在所述有源表面上。层间绝缘膜设置在所述半导体衬底上。第一通路结构穿过所述半导体衬底。所述第一通路结构具有第一直径。第二通路结构穿过所述半导体衬底。所述第二通路结构具有大于所述第一直径的第二直径。所述第一通路结构具有与所述层间绝缘膜接触的台阶部分。
搜索关键词: 半导体器件 半导体 封装
【主权项】:
暂无信息
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