[发明专利]一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构及方法有效
| 申请号： | 202010653924.7 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111933604B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 许海东;谌娟 | 申请（专利权）人： | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/78;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32272 | 代理人： | 朱宝庆 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高半导体场效应晶体管芯片短路能力的结构，包括热熔材料，设置于芯片本体的周围；DBC模块，所述DBC模块设置于所述热熔材料的下方，与所述芯片本体焊接；底板，所述底板通过焊接设置于所述DBC模块下方。本发明的有益效果：芯片源极通过键合方式实现连接，不需要更换芯片或者增加芯片工艺；对芯片栅极位置无要求，可不改变DBC及芯片布局设计；芯片周围热容材料在芯片短路时吸收热量可迅速通过DBC的陶瓷向下传导，保证芯片具有较低的温度；方式灵活，可在芯片焊接以外的面积增加热容材料，提升芯片短路能力；结构原有键合设备可满足工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体 场效应 晶体管 芯片 短路 能力 结构 方法 | ||
【主权项】：
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