[发明专利]堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法在审
| 申请号： | 202010604966.1 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113937090A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;王桂磊;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器，包括：底电极；介电层，介电层形成在底电极上；顶电极组件，顶电极组件形成在介电层上，顶电极组件包括自介电层的一侧依次层叠形成的第一顶电极、第二顶电极以及第三顶电极；其中，第一顶电极为金属层，第二顶电极为掺杂碳、硼的硅锗层，第三顶电极为掺杂硼的硅锗层。本申请通过在第一顶电极、第三顶电极之间形成掺杂碳、硼的硅锗层，这样在第一顶电极上形成了掺杂碳、硼的硅锗层与掺杂硼的硅锗层的双重结构，大大减少了电阻增加，同时还减少了掺杂硼的硅锗层的残余应力,降低其对电容器的介电层产生的机械应力，解决了介电层的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 电容器 半导体 存储 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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