[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 202010568127.9 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111668179B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 方晓培;黄永泰;游馨;郭东龙;夏勇 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种特殊形状的半导体结构。特征在于在两个倒L型的接触结构之间形成多层的电介质层，其中下方的电介质层与上方的电介质层材质不同，且下方电介质层优选由低电介质系数的材料构成。此材料的搭配下可以降低半导体结构的电阻电容延迟(RC delay)。此外，两个倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在两个倒L型的接触结构之间的第一电介质层与第二电介质层，并且提升半导体结构的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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